在这个问题上:
2功率设计中的难题
8拆卸:宜家智能LED灯泡内部
28热管理中热敏电阻的基础知识
43如何智能选择风机进行强制风冷
功率设计中的难题
一年一度的仪式发生在电力电子世界的上层。在被认为是应用电力电子的主要论坛的应用电力电子会议(APEC)上,研究人员提出了电力转换器的新想法。通常,这些想法既不直接也不容易理解。一般来说,它们没有什么直观的东西。因此,其他对这些概念感兴趣的研究人员在接下来的12个月里花了很多时间描述APEC会议上提到的最有希望的拓扑结构和电路。在第二年的APEC会议上,与会者可以开始真正了解当新的结果出现时,原始电路的行为。
这一仪式是APEC享有论坛美誉的原因之一,参加论坛的从业者都能分析棘手的技术问题。在这方面,今年即将举行的亚太经合组织会议涉及的几个领域值得一提。
其中之一是碳化硅mosfet的发展前景。GE全球研究中心碳化硅工厂的CTO Ljubisa Stevanovic将介绍GE为兆瓦级工业应用设计的碳化硅设备。“应用SiC最困难的部分是,它不是硅igbt的一对一替代品,”斯特瓦诺维奇说。“所以你不能只是从太阳能逆变器中移除igbt,然后插入SiC MOSFET。你需要利用SiC晶体管提供的切换速度,而不是更换IGBT。”
斯特瓦诺维奇将在APEC会议上介绍的一件事是基于2.5千赫开关的硅igbt的太阳能逆变器,它是用8千赫运行的SiC mosfet重铸的。由此产生的逆变器电路更简单,部分原因是SiC版本只需要一个两级桥,而硅版本需要三级设计。“igbt通常迫使你使用一个三层桥。SiC器件在损耗与igbt差不多的情况下,可以提高10倍的速度。这种切换速度让他们操作时过滤更少,”斯特瓦诺维奇说。
与会者还可以从美国能源部制造研究所PowerAmerica的CTO和临时副主任Victor Veliadis博士那里了解SiC。PowerAmerica致力于先进的电力转换技术。Veliadis和PowerAmerica的同事们将介绍他们在设计SiC器件时克服的一些困难,并讨论SiC电路与使用传统硅晶体管的电路相比有什么优势。他说:“很多困难都与获得SiC专用工艺,并将其从研发演示转化为真正的制造工艺有关。”
来自微芯片技术公司(Microchip Technology Inc.)的两位应用工程师Joel Steenis和Alex Dumais的演讲也将进一步强化APEC在复杂转换器拓扑方面的讨论声誉。他们将涵盖如何设计一个全数字LLC谐振变换器。“这绝对是一个具有挑战性的拓扑结构,”Dumais说。“现在最大的问题是如何建模。乔尔在精确建模方面做了几个月的研究,这样工程师们就可以设计他们自己的转换器。
问题是LLC电路的行为方式不适合用状态空间平均法建模,这是一种非常常见的方法。”
Dumais和Steenis表示,LLC转换器在为服务器和电信系统供电方面受到了广泛关注,因为它们效率高,而且比替代产品使用的组件更少。
这些只是其中的几个亮点。所有迹象都表明,亚太经合组织不会缺乏对棘手问题的讨论。